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株式会社村田製作所 Si半導体の設計・開発（京都）
株式会社村田製作所
京都府長岡京市、日本, JP
1 日前
source : メイテックネクストは

仕事内容

CMOSプロセスを用いたRFスィッチ LNAの設計 開発

詳細

高周波機器に使用されるRFスィッチ LNAを始めとした半導体製品の設計 開発

SOIプロセスを用いて上記に加えて制御I等を集積化したワンチップフロントエンドICの設計 開発

使用ツール Cadence ADS HFSS

携わる製品 SOI CMOSを使用したRFスィッチ LNAなどの半導体

やりがい 自身が設計 開発した製品を携帯電話やスマートフォンメーカーに提案し 採用されることで世の中に欠かせない通信機器へ影響を与えられます ムラタとして多くの強いRF部品を保有していることで 世界最先端の色々な地域の顧客との協業が可能です 応募条件 必須

RF回路についての知見

高周波測定の経験

半導体の知識 休日休暇 完全週休2日制 基本は土 日 祝 当社カレンダーにより若干異なります 夏期休暇 お盆 年末年始 ＧＷ 有給休暇 半日有給休暇 慶弔休暇 産休 育児休暇 特別休暇 自己啓発支援特別休暇 自己実現特別休暇 年間休日数 123日 就業時間 08 : 30 17 : 00

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